豊田/電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発 新着 株式会社デンソー 愛知県 豊田市 年収550万円~950万円 正社員 【仕事の内容】動車向けインバータ用パワー半導体(SiCーMOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価... 週休2日 IoT 交通費 上場企業 禁煙・分煙 1000人以上 フレックス制 6日前 PL/製造業向け電装システム設計リーダー案件/経験者のみ/フリーランス レバレジーズ株式会社 愛知県 春日井市 月給90万円 業務委託 [歓迎スキル]:・電源/パワーデバイス駆動回路の開発、設計、評定経験...[歓迎スキル]:・電源/パワーデバイス駆動回路の開発、設計、評定経験 急募 自社サービス BtoB 土日祝休 フリーランス 若手活躍 12日前PR 社内SE「社内ITインフラ・セキュリティ強化」・東京勤務 新着 株式会社FFRIセキュリティ 東京都 千代田区 有楽町駅 徒歩3分 年収420万円~840万円 正社員 セキュリティ技術の基礎研究、自社セキュリティソフトウェアである「FFRI yarai」などの研究開発... フルリモート 服装自由 VMware 特別休暇 交通費 禁煙・分煙 SAS 5日前PR クラウドエンジニア 新着 株式会社ビデオリサーチ 東京都 千代田区 九段下駅 徒歩8分 年収480万円~800万円 正社員 「メディア・コミュニケーション事業」メディアパワーを測定し、メディアの発展と広告プランニングを支援...スマートデバイスのアプリ開発の経験「歓迎要件」 Webアクセスログの収集・分析の経験... DevOps フレックス制 ビッグデータ Scala C# Python HTML 5日前PR 電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発/株式会社デンソー 新着 愛知県 豊田市 年収500万円~900万円 正社員 【仕事内容】一緒にSiC-MOSのデバイス開発に取組み、世界の電動化をリード...<業務内容>電動車向けインバータ用パワー半導体(SiCーMOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価... 家族手当 特別休暇 週休2日 交通費 3日前 SiC/IGBT パワーデバイス デザインエキスパート 新着 華為技術日本株式会社 大阪府 年収800万円~2,000万円 【仕事内容】<職種>電気・電子>研究・開発<業種>メーカー>電気・電子 【経験・資格】<必須(MUST)>・おおよそ20年以上の半導体関連技術の業務経験および10年以上のSiC/IGBTパワーデバイス研究開発経... 女性活躍 産休・育休 年休120日~ シェア上位 1000人以上 チームプレイ 8時間前PR パワーデバイス応用技術研究開発技術者 神奈川県 正社員 【仕事内容】次世代パワーデバイス応用技術の研究開発 担当いただくプロジェクトは、SiC、GaNなどのパワーデバイスの高速... 14日以上前 プリンシパル「コンサルティングファームにおけるマネジャーと同等の業務」 新着 フェアリーデバイセズ株式会社 東京都 文京区 本郷三丁目駅 徒歩6分 年収700万円~1,050万円 正社員 【仕事内容】世界初! 首掛け型スマートデバイス「THINKLET®」を活用した現場DXを推進するコンサルタント経験者募集 在宅ワーク 社保完備 週休2日 DX領域 語学を活かす 転勤なし 交通費 5日前PR プロセス研究開発/パワー半導体のデバイス 株式会社デンソー 愛知県 豊田市 その他 (2) 年収400万円~1,000万円 正社員 【仕事内容】<業務内容>電動車に不可欠な次世代パワー半導体(SiCーMOS)のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価。 500人以上 資格手当 週休2日 家族手当 社保完備 交通費 14日以上前 20代~30代活躍中/パワー半導体デバイスの研究開発業務 WEB面接開催中/east 株式会社アスパーク 石川県 能美市 月給19万円~40万円 正社員 【事業内容】労働者一般派遣事業 派27-302033経過措置に伴う旧届出番号 特27-306175電気自動車開発...電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれているため... 学歴不問 研修あり 寮・社宅あり 退職金あり 若手活躍 社保完備 資格取得支援 14日以上前 半導体研究開発 新着 株式会社デンソー 愛知県 日進市 年収500万円~1,200万円 正社員 【仕事内容】<業務内容>パワーデバイス材料研究、デバイス開発・SiCウェハガス成長法の研究開発・SiCエピタキシャル成長の研究開発... 在宅ワーク 交通費 上場企業 IoT 家族手当 年休120日~ 週休2日 7日前 「第二新卒/石川」パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア 新着 東芝デバイス&ストレージ株式会社 石川県 年収400万円~1,000万円 <業務内容>MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。... 在宅ワーク フレックス制 禁煙・分煙 UIターン CAD 交通費 週休2日 8時間前PR 「年間休日130日以上可」ソフト設計/パワーエレクトロニクスを活用した「新技術の研究/開発」 新着 河村電器産業株式会社 愛知県 【仕事内容】<職種>電気・電子>研究・開発<業種>メーカー>電気・電子...<募集背景>研究開発部の体制強化の為<仕事内容>電気の安定供給に必要なブレーカーや配電盤を生産・販売する当社にて... 食事補助 グローバル 資格取得支援 駐車場あり 交通費 フレックス制 家族手当 8時間前PR デバイス作製に伴う試作と評価業務 WDB株式会社 大阪府 茨木市 阪大病院前駅 時給1,600円~1,650円 / 交通費支給 派遣社員 【経験・資格】デバイス等の試作経験や顕微鏡を用いた細かな観察や操作経験がある方...新しいデバイスを開発し実用化する事を目的に研究をしている研究室です。基礎科学を中心とした学術的な研究を、実社会で運用できるよう日々、研究に... 未経験OK 14日以上前PR パワー半導体デバイス/プロセス開発 新着 株式会社デンソー 愛知県 豊田市 年収500万円~1,200万円 正社員 【仕事内容】一緒にSiC-MOSのデバイス開発に取組み、世界の電動化をリード...【必要な経験・能力】<必須>・パワー半導体に関する知識を有すること ・半導体デバイスの設計... 在宅ワーク IoT 年休120日~ 退職金あり 週休2日 寮・社宅あり 家族手当 7日前 エピタキシーR&Dディレクター 新着 VITAL MATERIALS CO. LIMI... 東京都 年収1,500万円~2,500万円 【仕事内容】<職種>化学>研究・開発<業種>メーカー>半導体...6.エンドユーザー側の応用開発、牽引、定義、および検証;マーケットニーズに応じて技術的方向を予測する... 女性活躍 シェア上位 研修あり 禁煙・分煙 産休・育休 年休120日~ 1000人以上 8時間前PR パワー半導体デバイスの設計開発 アンジェットリサーチラボ株式会社 京都府 年収500万円~ 正社員 【業務内容】高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち... 14日以上前 豊田 電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究 ミライズテクノロジーズ出向 新着 株式会社メイテックネクスト 愛知県 年収500万円~1,199万円 正社員 【応募条件】<必須> 半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験(研究開発... 週休2日 特別休暇 上場企業 家族手当 資格手当 交通費 55分前 パワー半導体デバイスのデバイス試作エンジニア アンジェットリサーチラボ株式会社 京都府 年収500万円~ 正社員 【業務内容】高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち... 未経験OK 電話対応なし 社員登用 上場企業 服装自由 急募 ブランクOK 14日以上前 大阪 パワーデバイスの装置を使用した評価業務/成長できる環境が充実!IK2B 新着 株式会社リクルート 大阪府 守口市 年収320万円~410万円 正社員 【仕事内容】GaNパワーデバイスのプロセス業務 GaNパワーデバイスの装置を使用した電気的特性評価、資料作成 【職種PR】当社にて、パワーデバイスの装置を使用した評価業務をお任せいたします。 EXCEL 6日前 SiCパワーデバイス開発エンジニア 株式会社メイテックネクスト 京都府 年収500万円~849万円 正社員 【職種分類】電気・電子・機械系エンジニア > 電気・電子・半導体系 > 研究・開発・設計(電気・電子・半導体)...既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。<職種の変更の範囲>当社業務全般 上場企業 交通費 食事補助 家族手当 7日前 SiC/IGBT パワーデバイス デザインエキスパート 華為技術日本株式会社 大阪府 年収800万円~2,000万円 【仕事内容】SiC/IGBTパワーデバイスの研究及び開発を担当していただきます。...【職種】研究・開発研究・開発半導体設計 【業種】電気・電子半導体 女性活躍 産休・育休 1000人以上 チームプレイ シェア上位 年休120日~ 14日以上前 パワーデバイス開発エンジニア SiC 新着 株式会社メイテックネクスト 京都府 年収500万円~849万円 正社員 【応募条件】下記、いずれかのご経験がある方半導体業界でSiCの研究開発経験・トランジスタ/ダイオード/LSI等のデバイス開発経験...SiCパワーデバイス開発・設計・SiCパワーデバイスプロセス開発... 家族手当 食事補助 交通費 上場企業 5日前 デバイスおよびプロセス研究開発 株式会社デンソー 愛知県 豊田市 年収430万円~1,200万円 正社員 【必要な経験・資格】<必須要件>以下、全てのご経験をお持ちの方・半導体に関する知識を有すること ・半導体デバイスの設計... メンバー育成 特別休暇 家族手当 資格手当 資格取得支援 研修あり 週休2日 14日以上前 FAE 新着 YJテクノロジージャパン株式会社 東京都 <事業内容>1.パワー半導体電子部品の製造販売2.パワー半導体電子部品の研究開発...<歓迎(WANT)>・半導体(IGBT, SiC MOS/SBD,Power MOS, FRDなど)業界経験・パワーデバイス応用技術の経... 英語不問 交通費 禁煙・分煙 土日祝休 シェア上位 昇給あり 週休2日 1日前PR 次のページへ 転職・求人情報 2,387 件 1 ページ目 パワーデバイス 研究開発の新着求人を見逃さない! 本日の新着 243件 新着LINE 新着メール 条件を保存 保存済み